时间：2025/12/29 13:10:15
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APM9435KC-TRG 是一款由 Advanced Power Technology（简称 APT）推出的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要用于高功率、高效率的电源管理系统，适用于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等应用。APM9435KC-TRG 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高电流容量和优良的热稳定性，能够在高频率和高负载条件下稳定工作。该器件封装为 TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，便于在紧凑型电路板中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
APM9435KC-TRG 是一款专为高功率密度和高效率设计的 MOSFET 器件，其核心特性体现在低导通电阻、高电流承载能力以及优异的热管理性能。
首先，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为 0.018Ω，显著降低了在高电流工作状态下的导通损耗，从而提高电源转换效率，减少发热问题。这使得它特别适合用于需要高效能和低损耗的 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统等应用。
其次，APM9435KC-TRG 的最大漏极电流可达 50A，支持在高负载条件下稳定运行。这种高电流处理能力使其成为电机驱动、负载开关和电源管理模块的理想选择，尤其适用于需要频繁开关和高功率输出的场合。
此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了内部结构设计，使其在高频工作条件下仍具有良好的性能表现。栅极电荷（Qg）仅为 60nC，降低了开关损耗，有助于提高整体系统的效率。
APM9435KC-TRG 还具备良好的热稳定性和耐高温能力，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛的工作环境。结合 TO-252（DPAK）封装形式，该器件在散热性能和机械强度方面表现出色，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提升产品的一致性和可靠性。
综上所述，APM9435KC-TRG 在低导通电阻、高电流能力、高频性能和热稳定性方面均表现出色，是高性能电源管理系统中的关键元件。
APM9435KC-TRG 适用于多种高功率和高效率的电子系统设计。其主要应用领域包括：DC-DC 转换器，用于提高电源转换效率并减少能量损耗；电机驱动电路，支持高电流输出并确保电机运行的稳定性；电池管理系统（BMS），用于电池充放电控制和保护；负载开关，用于电源分配和管理；同步整流器，提高开关电源的效率；以及各类工业控制和电源模块设计，满足高性能和高可靠性的需求。
Si4410DY-T1-GE3, IRF1404, AUIRF1404S, FDP6670, APM9435KC-TR
