APM4953KC-TRG 时间：2025/8/2 9:04:29 阅读：27

APM4953KC-TRG 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于负载开关、DC-DC 转换器和马达驱动等应用。

参数

类型：MOSFET
　　沟道类型：双 N 沟道
　　最大漏极电压（Vds）：30V
　　最大源极电压（Vss）：0V
　　最大漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V, 14.6mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电压范围：-12V ~ +20V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOIC-8

特性

APM4953KC-TRG 具有多个显著的技术特性，使其在高性能电源管理系统中表现出色。首先，其双 N 沟道 MOSFET 结构使其能够同时处理两个独立的高电流负载，非常适合用于需要并行开关控制的场合。
　　其次，该器件的导通电阻非常低，典型值在 Vgs=10V 时为 28mΩ，而在 Vgs=4.5V 时更是低至 14.6mΩ。这种低 Rds(on) 特性可以显著降低导通损耗，提高整体系统的效率，特别是在高电流应用中效果尤为明显。
　　此外，APM4953KC-TRG 采用了先进的封装技术，具有良好的热管理性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。其 SOIC-8 封装形式不仅节省空间，而且便于 PCB 布局和散热设计。
　　该器件还具备较高的开关速度，能够在高频开关应用中保持良好的性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。栅极驱动电压范围宽（-12V 至 +20V），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。
　　最后，APM4953KC-TRG 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有良好的环境适应性，适合在工业和汽车电子等严苛环境中使用。

应用

APM4953KC-TRG 被广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。其主要应用场景包括：DC-DC 转换器和稳压模块，用于高效能电源供应系统；负载开关电路，用于控制多个电源轨的通断；马达驱动电路，适用于小型马达或步进马达的控制；电池管理系统，用于保护电池组免受过流和短路损坏；工业自动化设备中的功率开关，适用于高频率、高效率的开关操作；消费类电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电等。