类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：90A（在TC=25℃）
　　导通电阻(Rds(on)：@Vgs=10V时，最大为4.2mΩ；@Vgs=4.5V时，最大为6.2mΩ
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：DFN5x6

APM3023NDC-TUL的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　在4.5V栅极驱动电压下，其Rds(on)仍保持在较低水平，使其适用于5V驱动系统，如许多嵌入式控制器和数字电源平台。
　　此外，该MOSFET具备高电流承载能力和良好的热管理性能，能够在高负载条件下稳定运行。
　　DFN5x6封装不仅体积小，便于在空间受限的设计中使用，而且具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB。
　　该器件还内置了较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高压瞬态环境中的可靠性。
　　APM3023NDC-TUL符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。

APM3023NDC-TUL广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合高效率、高功率密度的设计需求。
　　在同步整流式开关电源（SMPS）中，该器件可用作主开关或同步整流器，显著降低导通损耗，提高转换效率。
　　在DC-DC降压或升压转换器中，作为高侧或低侧开关使用，能够支持高电流输出，适用于服务器电源、通信设备电源模块等。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制电路，提供快速开关和低功耗特性。
　　由于其优异的热稳定性和高电流能力，APM3023NDC-TUL也常用于工业自动化设备、电动车控制器、智能家电等需要高可靠性和高性能功率控制的场景。

SiSS280NQ, AON6260, NexFET CSD17551Q5A, FDMS86101