时间：2025/8/13 23:36:12
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APM2703CGC-TRG 是一款由 Diodes 公司生产的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率管理的场合。该器件采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻、高耐压能力以及出色的热稳定性。该器件的封装形式为 SOT-23，适合用于空间受限的便携式设备设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：200 mA
最大漏极-源极电压（VDS）：20 V
最大栅极-源极电压（VGS）：12 V
导通电阻（RDS(on)）：1.8 Ω @ VGS = 4.5 V
导通电阻（RDS(on)）：2.3 Ω @ VGS = 2.5 V
栅极电荷（Qg）：5.3 nC
功率耗散（PD）：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
APM2703CGC-TRG 采用先进的沟槽技术，使得其导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的 RDS(on) 在 VGS = 4.5 V 下仅为 1.8 Ω，在 VGS = 2.5 V 下为 2.3 Ω，适用于低电压驱动电路。
其 SOT-23 封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能，适用于高密度 PCB 设计。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 5.3 nC），有助于减少开关损耗并提高高频应用中的性能。
APM2703CGC-TRG 的最大漏极电流为 200 mA，最大漏极-源极电压为 20 V，适用于各种中低功率开关和负载管理应用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适合在工业和消费类电子产品中使用。
APM2703CGC-TRG 广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块以及 LED 驱动电路等。其低导通电阻和小封装特性使其特别适合空间受限的移动设备设计。
APM2703CGC-TRG 可以替代型号如 2N7002、DMG2305UX、FDS6679、Si2302DS 等。
