APM2558N 时间：2025/7/31 19:26:50 阅读：35

APM2558N是一款由Advanced Power Technology（APT）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和优异的热性能，适用于各种功率转换和控制场景，例如DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制和负载开关电路。APM2558N采用N沟道结构，封装形式为TO-252（也称为DPAK），便于散热并适应表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

APM2558N的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。由于其高电流承载能力和良好的热性能，该器件能够在严苛的环境中稳定运行。
　　此外，APM2558N的高栅极电荷（Qg）特性使其适合用于需要高开关性能的应用，同时具备一定的抗过载能力。该MOSFET还具有快速开关速度，能够适应高频工作条件，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。
　　从封装角度来看，TO-252封装不仅提供了良好的热管理性能，还支持自动化生产流程，使得该器件在工业级应用中广泛适用。APM2558N的设计也符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。

应用

APM2558N广泛应用于电力电子领域，例如用于DC-DC转换器中的主开关器件，能够高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在电源管理系统中，该器件可以作为负载开关或隔离开关，提供高可靠性和低损耗的电流控制。
　　此外，APM2558N还可用于电机驱动电路，实现对直流电机或步进电机的速度和方向控制。在电池管理系统中，它能够作为充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，APM2558N也常用于高功率LED驱动、继电器替代、负载切换以及电源分配等场景。