时间：2025/8/2 6:48:03
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APM2307AC-TRL 是一款由 Diodes 公司（原安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于中高功率应用。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理以及电机控制等领域。APM2307AC-TRL 采用 SOT23 封装，适合表面贴装工艺，适用于小型化设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.7A（在 VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值，在 VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：14nC
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT23
APM2307AC-TRL 功率 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，支持在中等电压环境下稳定工作。其栅源电压范围为 ±20V，具备良好的栅极控制能力，同时防止因过电压造成的损坏。该器件的最大连续漏极电流为 5.7A，在 VGS=10V 条件下，能够满足中高功率电源转换和控制需求。
该 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）典型值为 27mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）为 14nC，保证了较快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
APM2307AC-TRL 的最大功率耗散为 2W，具备良好的散热能力，可在较宽的工作温度范围内稳定运行，范围从 -55°C 到 150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。其采用 SOT23 小型封装，适合表面贴装工艺，有利于节省 PCB 空间，实现紧凑化设计。
该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，适用于需要高可靠性的电源管理系统、电池供电设备、负载开关、电机驱动器以及各种电源控制模块。综合来看，APM2307AC-TRL 是一款性能优越、适用性广泛的功率 MOSFET，适用于多种现代电子系统设计。
APM2307AC-TRL 主要应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、电机驱动器、LED 照明控制、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。由于其高效率和小型封装，特别适合需要紧凑设计和高效能的应用场景。
Si2307DS, FDN337N, AO3400A
