类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：12mΩ @ Vgs = 10V
　　栅极电荷(Qg)：17nC
　　功率耗散：3.4W
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

APA0714XI-TRG 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在 10V 栅极电压下可实现 12mΩ 的 Rds(on)，适用于高电流应用。此外，该 MOSFET 还具有快速开关能力，栅极电荷（Qg）仅为 17nC，能够有效减少开关过程中的能量损耗。
　　该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优良的热管理和小型化设计，适合高密度 PCB 布局。其高功率耗散能力（3.4W）使其能够在较高电流条件下稳定工作，同时保持较低的温升。此外，APA0714XI-TRG 的栅极电压范围为 ±20V，具备较强的抗过压能力，提升了系统的可靠性。
　　在可靠性方面，该 MOSFET 具有高雪崩能量耐受能力，并通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。

APA0714XI-TRG 主要用于各类电源管理系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适用于需要高效能和高可靠性的设计。例如，在汽车电子系统中，它可以用于电机驱动、车载充电器和电源分配系统。在工业控制领域，该器件可用于伺服驱动器、PLC 和自动化设备中的电源管理模块。此外，该 MOSFET 也广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器的电源转换电路。

Si7461DP-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF