AP9T18GEJ 时间：2025/9/14 4:15:23 阅读：5

AP9T18GEJ 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：18A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 18mΩ（在 VGS=10V 时）
　　输入电容（Ciss）：约 1020pF（在 VDS=50V 时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

AP9T18GEJ 具备多项优异特性，使其在功率转换系统中表现出色。首先，其低导通电阻 RDS(on) 有助于降低导通损耗，提高整体效率，特别适合高电流应用。其次，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）较低，有利于在高频开关条件下减少开关损耗。此外，其 TO-252 封装具备良好的热性能，可有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了在瞬态过压情况下的可靠性。AP9T18GEJ 的栅极氧化层设计可承受高达 ±20V 的电压，提高了抗干扰能力并减少了栅极击穿的风险。其工作温度范围宽广（-55℃ 至 150℃），适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　AP9T18GEJ 采用无铅封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于绿色环保电子产品设计。

应用

AP9T18GEJ 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、电池充电管理系统、电机驱动电路、负载开关控制、电源管理模块以及工业自动化控制系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换器中。
　　在同步整流电路中，AP9T18GEJ 可作为主开关或整流开关使用，提高整流效率并降低系统损耗。在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构中，实现高效、可靠的电机控制。此外，其良好的热性能使其在高功率密度设计中表现优异，适用于需要长时间高负载运行的工业设备。