AP9T16H 时间：2025/6/26 9:21:35 阅读：4

AP9T16H是一款高性能的功率MOSFET，采用TO-220封装形式。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，能够承受较高的电压和电流。该器件具有较低的导通电阻和较快的开关速度，从而在高效率和散热性能方面表现出色。
　　AP9T16H属于N沟道增强型场效应晶体管，广泛适用于工业控制、消费类电子以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻：8.5mΩ
　　栅极电荷：35nC
　　开关时间（典型值）：开态时间14ns，关态时间42ns
　　功耗：20W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

AP9T16H具备以下主要特性：
　　1. 高电压耐受能力，最大漏源电压达100V，适合多种高压应用环境。
　　2. 极低的导通电阻仅为8.5mΩ，显著减少传导损耗并提升系统效率。
　　3. 快速开关速度，栅极电荷较小，可有效降低开关损耗。
　　4. 工作温度范围宽广，适应从低温到高温的各种恶劣工况。
　　5. TO-220封装设计，便于散热处理且易于集成到各种电路中。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料使用。

应用

AP9T16H因其优异的性能被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），包括适配器、充电器等。
　　2. 各类DC-DC转换器模块，例如降压或升压电路。
　　3. 电机驱动控制，如步进电机、直流无刷电机等。
　　4. 逆变器及不间断电源（UPS）系统。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
　　6. 消费类电子产品中的负载切换和保护功能。