AP9974AGP 时间：2025/7/26 17:48:03 阅读：21

AP9974AGP 是由 Diodes 公司生产的一款双 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于高效率电源转换和开关应用。这款 IC 采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和高功率密度，适用于笔记本电脑电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。AP9974AGP 采用 8 引脚 SOIC 封装，方便表面贴装，且具有良好的热性能。

参数

类型：双 N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC

特性

AP9974AGP 是一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，使其在导通状态下具有极低的 RDS(on)，从而减少了导通损耗并提高了效率。其双通道结构非常适合用于同步整流和双向开关应用。该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于多种电源管理场合。
　　AP9974AGP 的每个通道都可以独立工作，这使得它在负载切换、马达控制或 LED 背光驱动中非常有用。此外，该器件具有较高的热稳定性和较强的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其 8 引脚 SOIC 封装不仅节省空间，还便于 PCB 布局和自动化生产。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的 VGS，因此可以与多种控制器或驱动 IC 兼容。在低电压应用中，如电池供电设备和便携式电子产品中，AP9974AGP 可以提供出色的性能和可靠性。