品牌：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　类型：F-RAM (铁电RAM)
　　存储容量：4 Kbit
　　存储结构：512 x 8
　　接口类型：I2C, 2-Wire
　　最大时钟频率：1 MHz
　　工作电压范围：2.0 V ~ 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOIC-8
　　写入耐久性：1e14 次/单元
　　数据保持时间：10 年以上（典型值）
　　写保护引脚：有（WP 引脚）
　　设备地址：可通过 A0-A2 引脚配置
　　页写大小：32 字节

FM24CL04BG的核心技术是基于铁电电容的非易失性存储单元，其存储机制不同于传统的浮栅型EEPROM或Flash。每个存储单元由一个铁电电容器和一个访问晶体管组成，利用铁电材料在外部电场作用下的极化方向来表示逻辑“0”和“1”。这种极化状态在断电后仍能长期保持，从而实现非易失性。与EEPROM需要高温注入电荷并伴随长时间写入延迟不同，F-RAM的写入过程是一个快速且低能量的过程，几乎与SRAM的写入速度相当，且没有写入次数限制带来的寿命问题。这使得FM24CL04BG在需要频繁更新数据的应用中表现出色，例如传感器数据采集系统中的实时日志记录，每次测量结果都可以立即写入而无需担心磨损。此外，由于其无限写入耐久性，开发者无需实现复杂的磨损均衡算法，简化了固件设计。
　　该芯片支持I2C总线协议，兼容标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和高速（1 MHz）模式，能够满足高性能系统的通信需求。它最多支持8个设备在同一总线上运行，通过A0、A1和A2地址引脚进行片选配置，设备地址灵活可调。内部集成了上电复位电路，确保在电源上升过程中自动进入安全状态，防止误操作。同时，WP（Write Protect）引脚可用于硬件级写保护，当该引脚接地时允许写入，接高电平时禁止所有写操作，有效防止意外修改关键数据。在功耗方面，FM24CL04BG具有极低的待机电流（通常低于10 μA），适合电池供电或能量采集系统。其读写操作均在全电压范围内稳定工作，避免了传统非易失性存储器在低压条件下写入失败的风险。整体而言，FM24CL04BG以其高耐久性、高速写入、无延迟写入和低功耗等优势，在替代传统EEPROM的应用中展现出显著的技术进步。

FM24CL04BG因其独特的性能优势，被广泛应用于多个对数据完整性、写入频率和系统可靠性要求较高的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC控制器、远程IO模块和传感器节点中存储校准参数、运行状态和故障日志，尤其是在断电频繁或环境恶劣的场合下，其非易失性和高耐久性保障了数据的安全性。在医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和输液泵中，用于保存患者设置、使用记录和设备配置信息，确保即使在突发断电情况下也不会丢失重要数据。消费类电子产品如打印机、智能家电和POS终端也采用该芯片来记录使用次数、维护信息和用户偏好设置。在汽车电子领域，FM24CL04BG可用于车身控制模块、车载仪表盘和ADAS系统中存储里程信息、驾驶习惯数据和诊断记录。此外，在智能电表、水表和燃气表等计量设备中，它承担着累计用量、事件记录和时间戳的高频写入任务，克服了传统EEPROM因写入寿命不足导致的早期失效问题。由于其支持I2C接口且封装小巧，也适合嵌入到各种物联网终端设备中，配合MCU实现边缘侧的数据缓存和持久化存储。在需要能量采集供电的低功耗无线传感网络中，FM24CL04BG的低写入功耗和无需写等待的特性使其成为理想选择，能够在极短时间内完成数据写入并迅速进入休眠状态，延长系统续航时间。总体来看，凡是对写入性能、数据可靠性和使用寿命有较高要求的嵌入式系统，都是FM24CL04BG的典型应用场景。

CY15B104QSN,CY15B104QSXC,FMB24C04