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AP9923GEO 发布时间 时间:2025/9/13 16:17:58 查看 阅读:21

AP9923GEO 是一款由Diodes公司生产的双N沟道增强型功率MOSFET集成电路,采用先进的TrenchFET技术,具备高性能和低导通电阻的特性。该器件广泛应用于负载开关、电源管理、电池供电设备以及DC-DC转换器等场合。AP9923GEO集成了两个独立的MOSFET通道,允许设计者在一个封装中实现多个功率控制功能,从而减少PCB空间和系统成本。

参数

类型:MOSFET(双N沟道增强型)
  漏源电压(VDS):20V
  连续漏极电流(ID):5.8A(每个通道)
  导通电阻(RDS(on)):28mΩ(典型值,@VGS=4.5V)
  栅极电压(VGS):-8V~+8V
  工作温度范围:-55°C~+150°C
  封装类型:TSOP
  安装类型:表面贴装

特性

AP9923GEO具备多项优异特性,首先其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率,特别适用于高电流和低电压应用场景。其次,该器件采用了TrenchFET技术,使得在小封装中实现高性能成为可能,满足现代电子设备对空间和功率密度的高要求。
  此外,AP9923GEO具有良好的热稳定性与抗过载能力,在高温环境下依然保持稳定工作。其双通道设计允许两个独立的功率路径控制,提升了电路设计的灵活性,适用于多种电源管理和开关控制应用。
  该MOSFET IC还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高响应速度,适用于高频开关应用如DC-DC转换器、同步整流器等。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。

应用

AP9923GEO主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。例如,在电池供电设备中,该器件可用于负载开关控制,实现对不同模块的电源管理,延长电池寿命;在电源管理系统中,可用于多路电源切换或电流隔离控制。
  在DC-DC转换器和同步整流器中,AP9923GEO的双通道结构可以实现高效率的功率转换,提高系统整体效率。此外,它也适用于工业控制设备、便携式电子产品、电机驱动、LED照明控制等需要双路功率开关的场合。
  由于其紧凑的封装和高可靠性,AP9923GEO也广泛用于通信设备、计算机外设、消费类电子产品以及车载电子系统中,满足不同应用场景对小型化和高效能的需求。

替代型号

Si3442DV-T1-GE3, NVTFS5C471NLWFTAG, FDMF6820C

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