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G40NV36D25BEU 发布时间 时间:2025/8/21 21:14:44 查看 阅读:5

G40NV36D25BEU 是一款由东芝(Toshiba)制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件,广泛应用于高功率电子设备中,如逆变器、电机控制、电源转换系统以及工业自动化设备等。该型号属于东芝G系列IGBT产品线,具有低导通压降、高可靠性和良好的热性能,适用于需要高效能和稳定性的各种电力电子应用。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:40A
  导通压降:约1.85V(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装形式:TO-247
  栅极驱动电压:+15V/-15V(推荐)
  短路耐受能力:有
  功耗:125W(最大)

特性

G40NV36D25BEU IGBT具有多项显著的技术特性,适用于高功率和高可靠性要求的应用场景。
  首先,其最大集电极-发射极电压为600V,集电极电流可达40A,使得该器件能够在高压和大电流条件下稳定运行,适合用于工业逆变器、电源转换器和电机驱动器等场合。此外,该器件的导通压降约为1.85V,较低的导通压降意味着更小的功率损耗,有助于提高整体系统的效率并减少发热。
  其次,G40NV36D25BEU采用了先进的芯片技术和封装设计,具备良好的热管理和散热性能,确保在高温环境下依然保持稳定工作。其工作温度范围为-40°C至+150°C,适应性强,适合各种恶劣工作环境。
  另外,该IGBT支持+15V/-15V的栅极驱动电压,这种负压关断方式可以有效防止误导通,提高开关性能和系统的稳定性。同时,该器件具备一定的短路耐受能力,能够在短路情况下承受瞬时高电流,从而提高系统的安全性。
  在封装方面,G40NV36D25BEU采用TO-247封装,这种封装形式广泛应用于高功率器件中,具有良好的电气绝缘性和机械强度,便于安装和散热设计。

应用

G40NV36D25BEU IGBT广泛应用于多个高功率电子系统领域。
  在工业自动化和电机控制领域,该器件常用于变频器和伺服驱动器中的功率转换部分,实现对交流电机的高效控制。其高耐压和大电流能力使得它非常适合用于电机驱动中的H桥逆变电路。
  在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中,G40NV36D25BEU用于直流到交流的转换过程,其低导通压降和高效能特性有助于提升整体系统的能量转换效率。
  此外,该IGBT也常用于电源管理系统,如不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备以及电动汽车的充电系统等。其良好的热性能和耐高温能力,使其在这些需要长时间运行和高可靠性的应用中表现出色。
  在消费电子和家电产品中,该器件也可用于高端电磁炉、高频加热设备等功率控制模块,提供稳定高效的功率输出。

替代型号

G40N60UBD、G40N60UFD、G40N60SFD、GT40N60UBD、GT40N60UFD

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