类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9.5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：38A
　　导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1720pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：490pF @ Vds=50V
　　反向传输电容（Crss）：90pF @ Vds=50V
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ Vgs=10V
　　体二极管反向恢复时间（Trr）：32ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

AP95T10GP-HF采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具有极低的导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体电源系统的转换效率。其10.5mΩ的Rds(on)在100V耐压等级的N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于同步整流、负载开关以及高频率DC-DC变换器中。低Rds(on)不仅有助于减少I2R损耗，还能降低对散热系统的要求，使得终端产品可以实现更紧凑的设计。
　　该器件具备良好的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，配合35nC的栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色。较低的Crss有助于减少米勒效应的影响，提高抗噪声干扰能力，避免误触发，从而提升系统稳定性。此外，快速的体二极管反向恢复时间（仅32ns）进一步减少了开关过程中的能量损耗，尤其是在硬开关拓扑结构中，能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　AP95T10GP-HF具备高雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的鲁棒性，适用于各种严苛工作环境。其150°C的最大工作结温允许在高温环境下长期稳定运行，同时TO-252封装提供了良好的热传导路径，便于通过PCB铜箔或散热片进行有效散热。器件还具备优秀的栅氧可靠性，能够在±20V的栅源电压范围内安全操作，兼容常见的驱动电路设计。
　　此外，该MOSFET通过了严格的质量认证，生产过程遵循IATF 16949质量管理体系，确保批次一致性与长期供货稳定性。其无铅环保设计符合现代绿色电子产品的发展趋势，适用于消费类电子、工业控制、通信电源等多种应用场景。总体而言，AP95T10GP-HF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，兼顾效率、成本与热性能，在同类产品中具有较强的竞争力。

AP95T10GP-HF广泛应用于多种中高效率电源转换系统中。常见用途包括AC-DC开关电源中的主开关管或同步整流管，尤其适用于笔记本电脑适配器、手机充电器、USB PD电源模块等便携式设备电源。其低导通电阻和高电流承载能力也使其成为DC-DC降压变换器（Buck Converter）的理想选择，可用于服务器电源、主板VRM模块或FPGA供电系统中。
　　在LED照明领域，该器件可用于恒流驱动电路中的开关元件，支持高亮度LED灯条或户外照明系统的高效运行。同时，由于其良好的热稳定性和抗冲击能力，也被用于电机驱动、电动工具和小功率逆变器等工业控制场合。此外，在电池管理系统（BMS）、太阳能充电控制器和UPS不间断电源中，AP95T10GP-HF可作为功率开关或保护开关使用，实现高效的能量传输与系统保护功能。
　　得益于其紧凑的TO-252封装，该器件易于自动化贴装，适用于大规模生产场景。无论是消费类电子产品还是工业级设备，AP95T10GP-HF都能提供可靠的性能支持，满足多样化电源设计需求。其高频开关能力也使其适用于LLC谐振转换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等先进拓扑结构，助力实现更高功率密度和更低待机功耗的设计目标。

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　　 "AON6260",
　　 "SI7850DP",
　　 "IRF1404ZPBF",
　　 "FDS6680A",
　　 "DMG1012U"
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