AP90T06GP-HF 时间：2025/9/14 16:33:13 阅读：7

AP90T06GP-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻、高耐压和优良的热性能。该器件采用先进的平面技术，具有良好的稳定性和可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及汽车电子等领域。AP90T06GP-HF 是无铅环保封装，符合 RoHS 标准。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：90A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220
　　晶体管结构：平面型
　　

特性

AP90T06GP-HF 功率 MOSFET 采用先进的制造工艺，具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其导通电阻非常低，在 Vgs=10V 时仅为 6.5mΩ，而在 Vgs=4.5V 时也仅为 8.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高能效。其次，该器件的最大漏源电压为 60V，最大连续漏极电流在 25℃ 下可达 90A，能够胜任高功率密度设计的应用需求。此外，其封装设计具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　AP90T06GP-HF 还具备良好的栅极电荷特性，使得开关损耗大大降低，适用于高频开关电源应用。该器件的耐雪崩能力较强，提高了在高能量瞬态条件下的可靠性。同时，其封装为无铅环保封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合绿色电子产品的设计要求。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，使其兼容多种控制电路设计。

应用

AP90T06GP-HF 适用于多种高功率和高频开关应用，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电源管理系统、电池充电器、UPS（不间断电源）、电信电源设备以及工业自动化控制系统。此外，由于其良好的热稳定性和高电流能力，该器件也常用于汽车电子系统，如车载电源管理模块、车载逆变器以及电动工具的控制电路中。