时间：2025/8/6 11:25:35
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IXFN25N90是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高功率开关应用中。该器件采用了先进的平面技术，具备高耐压和大电流承载能力的特点。IXFN25N90适用于各种工业电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：25A
最大漏-源电压（VDS）：900V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.15Ω（在VGS=10V时）
最大功耗（PD）：170W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247AC
IXFN25N90的主要特性包括高击穿电压和优异的热稳定性，这使得它能够在高电压和高功率环境下稳定工作。该MOSFET具有较低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其快速开关特性使得IXFN25N90在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
IXFN25N90还具有良好的线性工作能力，适合用于功率放大器等需要线性操作的应用。该器件的封装设计提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率密度应用中的可靠性。
其栅极驱动要求相对较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计过程。此外，IXFN25N90的高可靠性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
IXFN25N90被广泛应用于工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制、功率放大器、照明系统以及各种需要高功率开关的场合。
IXFN25N80, IXFN24N80, IRFP460, IRFP450
