AP90T03J 时间：2025/8/7 14:53:18 阅读：35

AP90T03J是一款由Diodes Incorporated推出的高性能、低电压、N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高效能的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。AP90T03J采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其封装形式为TSOT23-6，体积小巧，适合高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：12V
　　最大连续漏极电流(Id)：4.5A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为28mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSOT23-6

特性

AP90T03J MOSFET采用了先进的沟槽式技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），使其在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗。
　　其低导通电阻特性有助于提高电源转换效率，减少发热，从而延长设备使用寿命。
　　此外，AP90T03J具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达4.5A，适用于中等功率的开关应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压为12V，适用于常见的10V和12V驱动电路，便于设计和使用。
　　AP90T03J采用TSOT23-6小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能，有助于散热。
　　其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级环境下的稳定运行。

应用

AP90T03J广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备的功率控制电路。
　　在DC-DC转换器中，AP90T03J可作为主开关器件，提供高效能的电压转换，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等设备的电源管理模块。
　　在负载开关应用中，AP90T03J能够快速控制电源供应，实现低功耗模式切换，适用于需要精确电源管理的嵌入式系统和物联网设备。
　　此外，AP90T03J还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池的安全运行并提高能效。
　　由于其小型封装和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统、LED驱动器以及工业控制设备中。