AP88L02P 时间：2025/12/24 18:36:45 阅读：13

AP88L02P是一款由Anpec（安茂半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压工艺制造，适用于高效率的电源转换应用。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，封装在低热阻的DFN5x6封装中，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。AP88L02P的设计目标是提供高效率、低导通损耗和快速开关性能，适合在高频率开关条件下使用。

参数

类型：双N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：6A（单通道）
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　栅极电荷(Qg)：12nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：DFN5x6

特性

AP88L02P MOSFET采用了先进的高压工艺技术，具有出色的导通性能和快速的开关特性，能够在高频率条件下保持高效率。其低导通电阻（RDS(on)）降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体能效。
　　AP88L02P的DFN5x6封装形式具有优异的热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载条件下稳定运行。该封装还具有较小的尺寸，便于在高密度PCB设计中使用，提高空间利用率。
　　该器件的双MOSFET结构使其适用于多种拓扑结构，例如同步整流器、半桥或全桥转换器等。每个MOSFET都可以独立使用，也可以并联使用以提高电流能力，灵活性较高。
　　AP88L02P的高可靠性和稳定性使其适用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等多个领域。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境条件下都能正常工作，提高了系统的稳定性和寿命。

应用

AP88L02P适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制、同步整流电路以及高效能的电源适配器。在服务器电源、通信设备电源、LED驱动器和电池管理系统中，AP88L02P都能够发挥出色的性能。此外，由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，AP88L02P也适用于空间受限的高密度PCB布局场景。