时间：2025/9/13 15:49:49
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AP72T03GH-HF是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的Trench工艺，提供优良的导通特性和热稳定性。其封装形式为TSOT26，适用于表面贴装，具备小型化和高可靠性特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：12V
最大连续漏极电流(Id)：4.4A
导通电阻(Rds(on))：27mΩ @ Vgs=4.5V, 42mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOT26
AP72T03GH-HF具备低导通电阻特性，使其在低电压应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并提高效率。该MOSFET在2.5V至4.5V的栅极驱动电压范围内均可稳定工作，适用于现代低电压处理器和控制器的电源管理应用。
此外，该器件采用Trench工艺制造，具有优异的开关性能和热稳定性，能够在高负载条件下保持较低的温升。其TSOT26封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
AP72T03GH-HF还具备良好的耐用性和可靠性，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，适合用于工业级和消费类电子产品中。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。
AP72T03GH-HF主要应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及手持设备电源管理等领域。由于其低导通电阻和宽栅极电压范围，特别适用于需要高效能和低功耗的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、移动电源和穿戴式设备等。
此外，该MOSFET也常用于服务器、通信设备和工业控制系统的电源模块中，作为高侧或低侧开关使用。其良好的热稳定性和抗干扰能力使其适用于高温或高负载环境下运行的电子系统。
Si2302DS, AO3400A, BSS138K
