时间：2025/7/28 12:01:24
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AP50P11-LF是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，适用于各种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻和良好的热稳定性，适合在中高功率场合使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：50V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：0.085Ω（最大）
工作温度：-55°C至150°C
封装类型：TO-252
安装类型：表面贴装
AP50P11-LF具有低导通电阻，可以减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其P沟道设计适用于高边开关应用，例如电源管理电路中的负载开关控制。该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在较高温度下稳定运行。此外，其TO-252封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持器件的可靠性。
该器件还具备良好的抗静电能力，增强了在复杂电路环境中的耐用性。AP50P11-LF的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平进行控制，从而简化了驱动电路的设计。其在高温下的稳定运行特性，使其在工业控制、电源适配器、电池管理系统等应用中表现出色。
AP50P11-LF广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备以及各种需要高效功率开关的场合。该器件特别适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品中。
Si4435BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF9Z34N
