时间：2025/12/28 12:36:11
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AP3P7R0EMT是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具备优良的导通电阻和开关性能，适合在高效率、小型化电源系统中使用。AP3P7R0EMT的封装形式为TSOT26，便于在空间受限的设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-7A
导通电阻（RDS(on)）：7mΩ（典型值，VGS = -10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOT26
AP3P7R0EMT具有极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其7A的连续漏极电流能力使其适用于中高功率应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在苛刻的环境条件下稳定工作。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从-10V到+10V的栅极控制，便于与不同类型的驱动电路兼容。AP3P7R0EMT还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。由于其TSOT26封装体积小、重量轻，非常适合用于便携式设备和高密度PCB布局设计。
在保护特性方面，AP3P7R0EMT具备过温保护和过流保护能力，能够有效防止因异常工作条件导致的器件损坏。同时，其低栅极电荷（Qg）特性有助于简化驱动电路设计，降低功耗。这些特性使AP3P7R0EMT成为一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET器件。
AP3P7R0EMT广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、笔记本电脑和手持设备的电源控制模块等。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于电机驱动和功率放大器等需要高效能功率控制的场景。此外，AP3P7R0EMT还可用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理电路，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
Si7153DP-T1-GE3, FDC640P, AO4486
