型号：AP3502FMTR-G1
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装/外壳：SOT-26
　　拓扑结构：降压（Buck）
　　输入电压范围：4.5V 至 60V
　　输出电压类型：可调
　　输出电压范围：0.8V 至 输入电压
　　最大输出电流：2A
　　开关频率：典型值 250kHz
　　控制模式：电流模式
　　工作温度范围（环境）：-40°C 至 +85°C
　　结温：-40°C 至 +125°C
　　静态电流：典型值 4.5mA
　　关断电流：典型值 1μA
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　占空比范围：0% 至 100%
　　保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输出短路保护（SCP）

AP3502FMTR-G1采用峰值电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和优异的负载调整率。该控制方式通过实时监测电感电流来调节PWM占空比，从而实现对输出电压的精确控制。其宽达4.5V至60V的输入电压范围使其能够兼容多种电源输入场景，例如工业总线电压（如12V、24V、48V）以及汽车电池系统，在冷启动或负载突降等瞬态高压条件下仍能可靠工作。芯片内部集成的高压启动电路允许其直接从VIN引脚获取启动能量，无需额外的偏置电源，进一步简化了系统设计。
　　该器件具备可调输出电压功能，用户可通过外部电阻分压网络将输出电压设定在0.8V至VIN之间的任意值，灵活性高，适用于为微处理器、FPGA、传感器等多种负载供电。其典型开关频率为250kHz，可在效率与外部元件尺寸之间取得良好平衡；同时支持外部同步功能，便于系统EMI优化。在轻载条件下，AP3502FMTR-G1自动进入脉冲跳跃模式（Pulse Skipping Mode），有效降低开关损耗，提高轻载效率，延长电池供电系统的续航时间。
　　AP3502FMTR-G1内置低导通电阻的上下桥MOSFET，显著减少传导损耗，提升整体转换效率，典型效率可达92%以上。其SOT-26封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度布局。芯片还集成了软启动功能，防止启动时产生过大的浪涌电流，保护输入电源和后级电路。全面的保护机制包括逐周期过流保护、打嗝模式短路保护和热关断保护，当芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出，并在温度下降后自动恢复，提升了系统的鲁棒性和安全性。

AP3502FMTR-G1广泛应用于需要高效、宽输入电压范围DC-DC转换的场合。典型应用包括工业自动化控制系统中的现场仪表、PLC模块和传感器供电单元，这些设备通常工作在24V直流母线上，要求电源具备高可靠性和抗干扰能力。在电信基础设施中，该芯片可用于为基站、光网络单元（ONU）和路由器中的低压电路提供稳定电源。其高压输入能力也使其适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身控制模块，在车辆点火、启停过程中能够承受电压波动。此外，AP3502FMTR-G1也适合用于消费类电子产品中的适配器供电方案，例如智能家居网关、IP摄像头和小型显示设备。在电池供电系统中，得益于其低静态电流和高轻载效率，该芯片可有效延长设备待机时间。由于其小型封装和高集成度，特别适合空间受限的便携式和嵌入式应用。开发者可结合官方提供的评估板和设计指南快速完成电源电路设计，缩短产品开发周期。

AP3502GMTR-G1
　　AP3501FMTR-G1
　　LM5143A-Q1
　　TPS54240
　　MP2451