AP1681MTR-G1 时间：2025/12/26 9:35:50 阅读：9

AP1681MTR-G1是一款由Diodes Incorporated生产的高精度、低功耗的同步整流控制器，专为反激式（Flyback）电源转换器中的有源整流应用而设计。该芯片通过替代传统肖特基二极管来提升系统效率，降低热损耗，并允许在更小的封装内实现更高的功率密度。AP1681MTR-G1采用先进的检测技术，能够准确识别主边开关管关断后副边电感电流的流向，从而精确控制同步整流MOSFET的导通与关断时序，防止误触发导致的短路或能量回馈问题。该器件支持高侧和低侧配置，适用于多种拓扑结构下的同步整流需求，尤其适合用于适配器、充电器、开放式电源以及USB PD等要求高效节能的应用场景。其内部集成了丰富的保护功能，如过温保护、欠压锁定（UVLO）、谷底开关检测机制等，以确保系统在各种异常工况下仍能安全稳定运行。此外，AP1681MTR-G1具备良好的抗噪声能力，能够在高频工作条件下保持可靠的操作性能，减少电磁干扰对控制逻辑的影响。该芯片采用SOT-26封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时提供优良的散热性能。得益于其高度集成化的设计理念，外部所需元器件数量极少，有助于简化电路设计流程，降低整体BOM成本，并提高系统的长期可靠性。

参数

型号：AP1681MTR-G1
　　制造商：Diodes Incorporated
　　产品系列：同步整流控制器
　　工作电压范围：典型值4.5V至18V
　　静态电流：约280μA（典型值）
　　启动电压：约4.3V（最小值）
　　关断电压：约3.9V（典型值）
　　最大开关频率支持：高达500kHz
　　输出驱动能力：最高可驱动N沟道MOSFET栅极电容达1nF以上
　　导通延迟时间：典型值40ns
　　关断延迟时间：典型值35ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOT-26
　　引脚数：6
　　导通电阻（驱动级）：约5Ω（上拉），7Ω（下拉）
　　保护功能：具备UVLO、过温保护、防直通控制

特性

AP1681MTR-G1的核心特性之一是其智能双模式导通控制机制，可根据负载情况自动切换至最优化的工作模式，从而在轻载和满载条件下均维持高效率。该芯片采用电压检测方式来判断副边绕组的电流状态，当主开关管关闭后，副边电感开始释放能量，此时控制器会监测SR引脚上的电压变化。一旦检测到正向电压超过设定阈值，芯片即刻开启内部驱动信号，使外接的N-MOSFET导通，实现低阻通路供电；当电流趋于零或出现反向趋势时，芯片迅速关断MOSFET，避免反向电流造成能量浪费或损坏元件。这种快速响应能力得益于其内置的高速比较器和精密参考源，保证了导通与截止动作的精准性。
　　另一个显著特点是其优异的抗干扰能力。在实际应用中，尤其是在高dv/dt环境下，寄生电容耦合可能导致虚假信号触发误动作。为此，AP1681MTR-G1引入了动态消隐时间控制技术和多重滤波机制，有效抑制因电压突变引起的误判风险。此外，它还具备自适应死区时间管理功能，在不同负载和输入条件下动态调整关断延迟，防止上下桥臂直通现象发生，进一步增强系统安全性。
　　该器件支持高侧和低侧安装配置，使其兼容更多拓扑结构，包括准谐振（QR）、CCM和DCM反激变换器。无论在哪种模式下，AP1681MTR-G1都能提供稳定的驱动性能。同时，它的低静态电流设计特别适合待机功耗敏感型设备，满足能源之星、CoC Tier 2等国际能效标准要求。集成的过温保护功能可在芯片温度过高时自动进入休眠状态，待冷却后再恢复正常操作，延长使用寿命并提升系统鲁棒性。

应用

AP1681MTR-G1广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，特别是在追求高能效和小型化的消费类电子产品领域表现突出。常见用途包括手机、平板电脑及笔记本电脑的AC-DC适配器与充电器，其中作为次级侧同步整流控制器可显著提升转换效率，减少发热，从而支持更高功率密度的设计目标。此外，该芯片也适用于电视、显示器、路由器等家用电器的开放式电源模块，帮助制造商达到严格的环保法规和节能认证要求。
　　在USB Type-C和USB Power Delivery（PD）电源解决方案中，AP1681MTR-G1同样具有重要价值。随着快充技术的发展，用户对充电速度和能效的要求不断提高，传统二极管整流已难以满足需求。采用该同步整流控制器后，不仅提升了整体效率，还能降低系统温升，提高产品可靠性与用户体验。工业级应用场景如下行PoE（Power over Ethernet）供电端设备、LED驱动电源、辅助电源（Auxiliary Rail）等领域也可受益于其高性能特性。
　　由于其宽输入电压范围和良好的稳定性，AP1681MTR-G1还可用于多输出反激电源中的主输出或辅助输出整流控制，尤其适合需要长时间连续运行且对故障率敏感的场合。结合外部MOSFET的选择灵活性，设计工程师可以根据具体功率等级和散热条件进行优化配置，实现最佳性价比方案。总之，这款芯片凭借其高集成度、高效率和高可靠性，已成为现代高效电源设计中的关键组件之一。