时间：2025/12/28 12:21:04
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AP15P10GJ-HF 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。这款器件设计用于在高电流条件下提供低导通电阻，同时保持高效率和小尺寸封装，适用于便携式设备、电源适配器和电池管理系统等应用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-15A
导通电阻（RDS(ON)）：约 85mΩ（在 VGS = -10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
AP15P10GJ-HF 具备低导通电阻特性，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -10V 至 -20V 的栅源电压，使其能够与多种控制电路兼容。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在高温环境下工作。
其 P 沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，无需额外的电荷泵电路，简化了电源管理设计。同时，AP15P10GJ-HF 的封装形式为 TO-252，便于表面贴装和自动组装，适用于紧凑型 PCB 设计。
此外，该器件具备良好的短路耐受能力，提高了在突发负载变化下的稳定性，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。
AP15P10GJ-HF 主要应用于高边负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、便携式电子设备电源管理、电源适配器以及电机驱动电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于需要高效率和高性能的电源系统。
在便携式设备中，如笔记本电脑和平板电脑，该器件可用于电池供电系统的高边开关，以实现对负载的有效控制。在工业应用中，它可用于电机控制、LED 驱动和电源分配系统。此外，AP15P10GJ-HF 还可用于电信设备和服务器电源管理，提供稳定的电源切换和保护功能。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF9Z24NPBF, FDD8882, FQA16P10
