STL11N3LLH6 时间：2025/7/23 16:29:10 阅读：8

STL11N3LLH6 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：11A（最大）
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.017Ω（最大，典型值0.013Ω）
　　功耗（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6（H6）

特性

STL11N3LLH6 采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至12V驱动电压，同时也兼容3.3V和5V逻辑电平，方便与各种控制器配合使用。此外，该MOSFET具备快速开关能力，开关损耗低，适用于高频开关应用，如同步整流和DC-DC转换器。
　　STL11N3LLH6 的封装形式为 PowerFLAT 5x6 H6，属于低热阻封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺（SMT），适用于高密度电源设计。其封装设计也支持多管并联使用，进一步提升系统功率处理能力。
　　在安全和可靠性方面，该器件具备良好的雪崩击穿耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。同时，其短路耐受能力较强，能够在一定程度上防止因短路引起的损坏。

应用

STL11N3LLH6 广泛应用于需要高效功率控制和转换的电子系统中，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在电源管理系统中，该MOSFET常用于多相供电结构，如服务器电源、笔记本电脑适配器、充电器和便携式设备中的功率管理电路。此外，由于其优异的导通特性和热稳定性，也常用于高效率LED驱动和功率因数校正（PFC）电路中。
　　在汽车电子领域，STL11N3LLH6 可用于车载充电系统、电池管理系统、电机控制模块以及车身控制单元中的高侧或低侧开关应用。