时间：2025/7/25 22:53:51
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AP13P15GS是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理和开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。AP13P15GS采用SOT-223封装，便于在PCB上安装，并具有良好的散热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-15V
栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：-1.3A（Vgs = -4.5V）
导通电阻(Rds(on))：最大220mΩ（Vgs = -4.5V）
功率耗散(Pd)：1.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
AP13P15GS具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其P沟道结构适用于高边开关应用，例如在负载开关、电源管理模块以及DC-DC转换器中使用。该MOSFET的SOT-223封装形式具有良好的散热性能，能够在有限的空间内实现较高的功率密度。此外，AP13P15GS还具有较高的热稳定性和抗静电能力，确保在复杂工作环境下的可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的电源管理应用中灵活配置。由于其低输入电容和快速开关特性，AP13P15GS能够在高频开关条件下保持良好的性能表现。
AP13P15GS广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关电路以及高边开关控制等场景。其低导通电阻和高效能特性使其特别适合需要节能和高效能转换的应用场合。此外，该器件也适用于各类工业控制设备和通信设备中的电源管理部分。
AP13P15GC, AO3401, Si3443DV, BSS84
