AP139-28WA 时间：2025/10/31 15:43:43 阅读：20

AP139-28WA是一款由Diodes Incorporated生产的通用N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。AP139-28WA的封装形式为TO-252（DPAK），这种表面贴装型封装有利于提高PCB布局的灵活性，并具备优良的散热性能，适合中等功率应用环境下的使用需求。
　　该MOSFET设计用于在DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各类电源开关拓扑结构中作为主控开关元件。其额定电压为30V，最大持续漏极电流可达19A，能够满足大多数低压大电流应用场景的要求。此外，AP139-28WA还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗并提升整体系统效率。由于其出色的电气特性和性价比，该型号已成为许多消费类电子产品、工业控制设备和汽车电子模块中的常用元器件之一。

参数

型号：AP139-28WA
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：19A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　最大功耗（PD）：50W
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=10V）：28mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：38mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

特性

AP139-28WA具备优异的导通性能与开关特性，其核心优势在于采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻，从而有效减少了导通状态下的功率损耗。在VGS=10V条件下，其典型RDS(on)仅为28mΩ，在同类产品中处于领先水平；即使在较低的驱动电压下（如4.5V），仍能保持38mΩ的低阻值，这使其兼容于多种逻辑电平驱动电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景。这一特性对于便携式设备或电池供电系统尤为重要，因为它们通常依赖3.3V或5V的逻辑信号进行控制。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg），典型值约为27nC，这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于降低驱动IC的负担并提升系统的整体能效。同时，其输入电容（Ciss）约为1060pF，输出电容（Coss）约为440pF，反向传输电容（Crss）约为75pF，这些电容参数的平衡设计确保了良好的噪声抑制能力和快速的开关响应，适用于高达数百kHz甚至更高频率的开关电源拓扑结构。
　　AP139-28WA还具备优良的热稳定性与可靠性。TO-252封装提供了较大的焊盘面积以利于热量传导至PCB，配合适当的铜箔设计可实现有效的自然散热，避免因局部过热导致器件失效。其最大允许结温高达150°C，并支持宽范围的工作环境温度（-55°C至+150°C），可在严苛工业或车载环境中稳定运行。
　　此外，该MOSFET内置体二极管，具有一定的反向恢复能力，可用于感性负载切换或续流路径构建。虽然其体二极管并非专门优化用于高速整流，但在非同步整流拓扑中仍可提供基本功能保障。综合来看，AP139-28WA以其低导通损耗、高电流承载能力、良好热性能和广泛的适用性，成为低压功率开关应用中的优选器件之一。

应用

AP139-28WA主要应用于各种需要高效开关控制的低压大电流电路中。常见用途包括直流电动机驱动电路，其中该MOSFET作为H桥或单边开关使用，通过PWM调制实现对电机转速和方向的精确控制，广泛见于小型家电、电动工具及自动化设备中。
　　在电源管理系统方面，它常被用作同步整流器或高端/低端开关元件，应用于降压型（Buck）、升压型（Boost）或升降压型（Buck-Boost）DC-DC转换器中，特别是在输入电压为12V或24V的工业电源模块中表现优异。其低RDS(on)特性可显著减少转换过程中的能量损失，提高电源效率，延长电池续航时间。
　　该器件也适用于电池保护电路和负载开关设计，例如在锂电池充放电管理模块中作为主控开关，用于切断异常电流或实现软启动功能，防止浪涌电流损坏后续电路。此外，在LED驱动电源、热插拔控制器、继电器替代方案以及逆变器功率级中也有广泛应用。
　　得益于其表面贴装封装和良好的热性能，AP139-28WA特别适合自动化SMT生产线组装，广泛用于通信设备、消费类电子产品（如显示器、打印机、路由器）以及车载信息娱乐系统等对空间和可靠性要求较高的场合。