AP0904GJ-HF是一款由Advanced Power Technology(简称Advanced Power)制造的高效能功率晶体管。该器件设计用于高频率和高功率的应用,具有良好的导通特性和快速开关能力,适用于DC-DC转换器、电源管理和电机驱动等场景。AP0904GJ-HF采用了先进的沟槽式MOSFET技术,能够在高工作电压下提供较低的导通电阻,并且具有较低的开关损耗。该器件的封装形式为TO-252,便于散热和安装。
类型:功率MOSFET
最大漏极电压(Vds):900V
最大漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):约2.2Ω(典型值)
最大功率耗散:50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-252
栅极电压范围:±20V
漏极-源极击穿电压:900V
AP0904GJ-HF的特性包括高效能、低导通电阻以及快速开关能力。由于采用了沟槽式MOSFET技术,AP0904GJ-HF在高电压下依然能够保持较低的导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外,该器件的开关损耗较低,适合用于高频开关应用,如开关电源和DC-DC转换器。
AP0904GJ-HF的封装形式为TO-252,这种封装提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下能够稳定工作。器件的栅极驱动电压范围较宽,允许在不同应用中灵活调整,同时具备良好的抗干扰能力。
另一个显著特性是其在极端温度下的稳定性,AP0904GJ-HF能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作,适用于各种苛刻环境下的电子设备。
AP0904GJ-HF广泛应用于需要高效功率转换和管理的场合。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及各种工业控制系统。在开关电源中,AP0904GJ-HF能够提供高效的能量转换,减少热量产生并提高整体效率。在电机驱动应用中,该器件的快速开关能力和低导通电阻使其成为理想的选择。
此外,AP0904GJ-HF也可用于照明设备、电池管理系统和电力电子装置中。由于其优异的性能和可靠性,该器件适用于需要高稳定性和长寿命的工业级应用。
AP0904GI-HF, FDPF0904N, FQA0904N