时间：2025/7/31 13:25:47
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AP0803GMT-HF 是一款由 Diodes 公司（原 A普莱美）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于中高功率 DC-DC 转换器、电源管理及负载开关等应用。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于提高系统效率并降低功耗。其封装形式为 SOT-23，适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：800mA @ 25°C
导通电阻(Rds(on))：0.3Ω @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
AP0803GMT-HF 采用先进的 TrenchFET 技术，具备极低的导通电阻，在 4.5V 栅极驱动电压下 Rds(on) 仅为 0.3Ω，这大大降低了导通损耗，提高了能效。在 2.5V 栅极电压下，其 Rds(on) 也保持在较低水平（0.4Ω），使其适用于低压控制电路。该器件的连续漏极电流为 800mA，在同类 SOT-23 封装 MOSFET 中具有较高的电流能力，适合用于小型电源转换器和负载开关。
AP0803GMT-HF 的封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，并且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。此外，其最大漏源电压为 20V，适用于多种低压电源管理应用。该器件的热阻较低，确保在高负载条件下仍能稳定工作，同时具备良好的热稳定性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽泛，支持 2.5V 至 4.5V 的驱动电压，兼容多种控制器和逻辑电平电路。其低输入电容（Ciss）和快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。此外，AP0803GMT-HF 在高温环境下仍能维持稳定的性能，具有良好的长期可靠性。
AP0803GMT-HF 主要用于需要高效能、低功耗和小体积设计的电源管理系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池供电设备中的负载开关、电压调节模块（VRM）、手持设备电源管理、LED 驱动电路以及各类低电压功率控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源转换应用的理想选择，尤其是在对空间和功耗有严格要求的设计中，如移动设备、可穿戴电子产品、便携式医疗设备和工业控制设备等场景。
Si2302DS, AO3400A, BSS138
