AP05N50H-HF 时间：2025/10/27 11:50:15 阅读：27

AP05N50H-HF是一款由永圣半导体（Yongsheng Semiconductor）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和高耐压能力的电子设备中。该器件采用先进的平面技术制造，具备优良的电气性能和热稳定性。其漏源击穿电压高达500V，能够承受较高的工作电压，适用于中等功率范围内的应用场合。AP05N50H-HF采用了TO-220F或类似的封装形式，具有良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定运行。该MOSFET设计用于高速开关操作，具备较低的导通电阻与栅极电荷，有助于降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保要求，属于无铅产品，适合现代绿色电子产品的需求。由于其高性能和高可靠性，AP05N50H-HF在消费类电子、工业控制和照明电源等领域得到了广泛应用。

参数

型号：AP05N50H-HF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.8Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

特性

AP05N50H-HF具备优异的开关特性和导通性能，是专为高效率电源转换系统设计的核心功率器件之一。其最大漏源电压可达500V，确保在高压环境下仍能安全可靠地工作，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源以及光伏逆变器等对耐压要求较高的应用场景。该器件的导通电阻在Vgs=10V时不超过1.8Ω，这一低阻值有效降低了在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容使得其在高频开关条件下表现出色，减少了驱动电路的负担，提高了开关速度并降低了开关损耗。
　　该MOSFET采用平面工艺制造，结构稳定，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。其额定连续漏极电流为5A，在适当的散热条件下可长时间稳定运行。此外，器件具有较宽的栅源电压范围（±30V），增强了对异常电压冲击的耐受能力，提高了系统的安全性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（约35ns），有助于减少在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰，提升电路的电磁兼容性（EMC）表现。
　　AP05N50H-HF还具备出色的抗干扰能力和长期可靠性，经过严格的高温高压测试，确保在恶劣工作环境下的稳定性。其TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的散热性能，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力。该器件符合国际环保标准，不含铅和其他有害物质，满足RoHS指令要求，适用于出口型电子产品及对环保有严格要求的应用领域。综合来看，AP05N50H-HF是一款性能均衡、可靠性高的高压MOSFET，适合多种中等功率电源拓扑结构使用。

应用

AP05N50H-HF广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，包括但不限于手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源、小型逆变器、DC-DC转换模块以及家用电器的控制电路。由于其具备500V的高耐压能力和5A的额定电流，特别适合反激式（Flyback）、正激式（Forward）等隔离型电源拓扑结构。在LED驱动领域，该器件可用于恒流源电路中的主开关管，实现高效的能量转换与稳定的光输出。此外，在工业自动化设备中，如PLC电源模块、电机控制板等，AP05N50H-HF也常被用作功率开关元件，提供可靠的电力控制功能。其快速开关特性也使其适用于高频谐振变换器和电子镇流器等对响应速度要求较高的场合。得益于其良好的热性能和封装设计，该器件可在密闭空间内长期运行而不易发生过热失效，因此在紧凑型电源设计中具有明显优势。