AOZ2238QI-01是AOS(Alpha and Omega Semiconductor)公司推出的一款高效率、单通道N沟道智能功率级模块(Power Stage),集成了MOSFET、驱动器和保护电路,专为同步降压转换器应用设计。该器件采用先进的封装技术,具备低热阻和优异的散热性能,适用于高密度电源系统。AOZ2238QI-01广泛应用于服务器、数据中心、FPGA、ASIC供电以及多相电压调节模块(VRM)等对效率、尺寸和可靠性要求较高的场合。其高度集成的设计简化了电源设计流程,减少了外部元件数量,提高了系统的整体可靠性。此外,该芯片支持高频开关操作,有助于减小外部电感和电容的尺寸,进一步提升功率密度。器件内置多种保护功能,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),确保在各种工作条件下稳定运行。
类型:单通道智能功率级(DrMOS)
输入电压范围:4.5V 至 25V
最大输出电流:30A
导通电阻(High-Side MOSFET):13mΩ
导通电阻(Low-Side MOSFET):8mΩ
开关频率支持:最高1MHz
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:PQFN 5mm x 6mm
控制接口:PWM输入
集成驱动器:支持高强度栅极驱动
热关断保护:有
欠压锁定(UVLO):有
输出短路保护:有
AOZ2238QI-01具备卓越的电气和热性能,其核心优势在于将高性能N沟道MOSFET与优化的栅极驱动器集成于单一封装中,显著降低了寄生电感和电阻,从而提升了转换效率并减少了电磁干扰(EMI)。该器件采用先进的封装技术,底部带有裸露焊盘,能够有效传导热量至PCB,实现良好的散热效果,确保在高负载条件下仍能稳定运行。其内部集成的驱动器支持快速开关切换,具备自适应死区时间控制功能,防止上下管直通,同时最大限度地减少开关损耗。在动态响应方面,AOZ2238QI-01表现出色,能够快速响应负载变化,维持输出电压的稳定性,适用于多相交错并联架构,满足现代处理器对瞬态响应的严苛要求。
此外,该芯片内置全面的保护机制,包括逐周期过流保护、自动恢复模式下的过温保护以及输入电压监控功能,当输入电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止异常工作状态。这些保护功能不仅提升了系统的安全性,也延长了整体寿命。AOZ2238QI-01还具有良好的可制造性,采用标准回流焊工艺即可完成装配,适合大规模自动化生产。其紧凑的5mm x 6mm PQFN封装极大节省了PCB空间,特别适用于空间受限的应用场景。通过优化内部布局和材料选择,该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能表现,符合工业级和企业级应用的可靠性标准。
AOZ2238QI-01主要用于高性能计算和通信领域的电源管理,典型应用场景包括服务器CPU/GPU核心供电、网络交换机和路由器中的多相电压调节模块、FPGA和DSP的嵌入式电源系统、高端主板上的POL(Point-of-Load)转换器以及工业自动化设备中的高效DC-DC变换器。由于其支持多相并联运行,常被用于构建大电流、低电压输出的同步降压拓扑结构,例如为现代微处理器提供1.0V或更低的供电电压,同时承载数十安培的持续电流。在数据中心电源系统中,该器件因其高效率和高功率密度特性而被广泛采用,有助于降低整体能耗和散热成本。此外,它也适用于需要高可靠性和长寿命的电信基础设施设备。其出色的瞬态响应能力使其能够在负载突变时迅速调整输出,保障敏感数字电路的稳定运行。
AOZ2236QI-01