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AOSS32136C 发布时间 时间:2025/8/2 6:10:04 查看 阅读:18

AOSS32136C是一款由AOS(Alpha and Omega Semiconductor)制造的高集成度、高效能的功率MOSFET模块。该器件主要用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中,例如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制设备。AOSS32136C集成了多个MOSFET,采用先进的封装技术,以实现高功率密度和低热阻。

参数

类型:功率MOSFET模块
  配置:高边和低边N沟道MOSFET集成
  最大漏极电压(VDSS):100V
  最大连续漏极电流(ID):12A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为12mΩ @ VGS = 10V
  栅极驱动电压:支持4.5V至20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TQFN(热增强型四边扁平无引脚封装)
  输入电容(Ciss):约1200pF
  反向恢复时间(trr):约30ns
  功耗(PD):最大4W

特性

AOSS32136C采用了AOS的先进Trench MOSFET技术和高密度封装工艺,确保了极低的导通电阻和优异的热性能。该模块内部集成了多个MOSFET,包括高边和低边器件,能够显著减少外部元件数量,提高系统可靠性。其TQFN封装提供了良好的散热能力,有助于在高负载条件下维持稳定的性能。此外,AOSS32136C具备出色的抗雪崩能力和过温保护特性,适用于严苛的工作环境。
  在电气性能方面,AOSS32136C具有低导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。同时,其快速开关特性(如低输入电容和短反向恢复时间)有助于降低开关损耗,提高工作频率。AOSS32136C还支持宽范围的栅极驱动电压(4.5V至20V),使其兼容多种驱动电路设计。
  为了增强系统的稳定性和安全性,AOSS32136C集成了热保护功能,在高温条件下能够自动降低电流,防止器件损坏。这种特性使其在高功率密度应用中尤为适用,如服务器电源、电信设备和工业控制系统。

应用

AOSS32136C广泛应用于需要高效功率转换和管理的领域,如DC-DC降压转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理单元(PMU)、工业自动化控制系统以及高功率密度电源模块。由于其集成度高、效率高和热性能优异,AOSS32136C也常用于服务器和通信设备的电源系统中。

替代型号

AOSS32136C没有直接的完全替代型号,但类似功能的器件包括AOSS32135C、AOSS32137C、SiC650、SiC450以及Infineon的IRS2004S等。

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AOSS32136C参数

  • 现有数量420,980现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥0.84142卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)660 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.3W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式