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AONX36320 发布时间 时间:2025/6/4 1:09:52 查看 阅读:4

AONX36320是一款由万代半导体(Alpha and Omega Semiconductor)生产的高压MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高效率和快速开关速度等特点。AONX36320适用于多种电源管理和功率转换应用,例如DC-DC转换器、反激式电源、LED驱动器等。其设计旨在优化性能,同时降低能耗。
  该器件的封装形式为TO-220,适合需要良好散热性能的应用场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8.2A
  导通电阻(典型值):0.45Ω
  栅极电荷:12nC
  输入电容:1200pF
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

AONX36320具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力,支持高达650V的工作电压。
  2. 低导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频应用。
  4. 强大的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 可靠性高,适用于严苛的工作条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

AONX36320广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于工业和消费类电子产品。
  3. LED驱动电路,提供高效稳定的电流输出。
  4. 反激式变换器,适用于多种功率转换场景。
  5. 电机驱动和控制电路,提升系统的可靠性和效率。
  6. 其他需要高压MOSFET的应用场景,如汽车电子设备等。

替代型号

AONP36320, IRFZ44N, STP16NF06

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AONX36320参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥8.88347卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能标准
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Ta),22A(Tc),60A(Ta),85A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.25mOhm @ 20A, 10V, 820μOhm @ 30A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA,1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25nC @ 10V,150nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1070pF @ 15V,5550pF @ 15V
  • 功率 - 最大值4.1W(Ta),24W(Tc),5W(Ta),75W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)