AONS77402 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型的 SOT-363 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、消费类电子、负载开关以及 DC-DC 转换等应用中。
该芯片采用了先进的制程技术,确保其在小体积封装下仍能提供出色的性能表现。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻:85mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 时)
栅极电荷:3nC(典型值)
总功耗:220mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-363
AONS77402 的主要特性包括低导通电阻,能够显著降低功率损耗,提升效率。此外,它还具备快速开关能力,减少了开关过程中的能量损失。其小巧的 SOT-363 封装非常适合空间受限的应用场景,同时提供了较高的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
另外,该器件的静态和动态特性均经过优化,以满足现代电子设计对高效能和高性能的需求。AONS77402 还具有良好的抗 ESD 性能,增强了系统的可靠性。
AONS77402 主要应用于各种便携式设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器等。此外,它也广泛用于电池供电系统、负载开关、电机驱动电路、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场合。
由于其小尺寸和低功耗特点,AONS77402 成为众多低功耗及高密度设计的理想选择。
AON77402, AO3402