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AONS66919 发布时间 时间:2025/4/28 18:57:31 查看 阅读:2

AONS66919是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。AONS66919主要应用于需要高效功率转换的场合,例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等电路中。其小型化的封装设计使得它非常适合于空间受限的应用环境。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:3.7A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:7.5nC
  总电容:240pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AONS66919具备非常低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  其快速的开关性能可以减少开关损耗,同时优化电磁干扰表现。
  由于采用了逻辑电平驱动技术,该器件能够与较低电压的控制器直接兼容,无需额外的驱动电路。
  此外,AONS66919还具有出色的热稳定性和鲁棒性,能够在严苛的工作条件下保持正常运行。
  它的紧凑型DFN2x2-8L封装不仅节省了PCB面积,还改善了散热性能。

应用

AONS66919广泛用于各种电源管理和功率转换领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流;
  2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关;
  3. 消费类电子产品的降压转换器;
  4. 小型电机驱动和控制电路;
  5. 便携式设备中的电池管理模块。

替代型号

AOSS1122, FDN345N, IRF7442

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AONS66919参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥5.56451卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)66 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3420 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),113W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线