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AONS66917 发布时间 时间:2025/5/28 18:23:33 查看 阅读:12

AONS66917是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,旨在为电源管理应用提供高效、可靠的性能。AONS66917适用于各种消费电子、通信设备和工业控制中的功率转换电路。
  AONS66917的封装形式为SOT-23-3L,具有小尺寸和高效率的特点,适合空间受限的设计。其低导通电阻(Rds(on))和优化的开关特性使其成为电池管理、负载开关、DC-DC转换器等应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.5A
  导通电阻(Rds(on)):55mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:1.8nC(典型值)
  总功耗:480mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AONS66917具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,有助于减小外部元件体积。
  3. 小型SOT-23-3L封装,节省PCB面积,非常适合便携式设备。
  4. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 稳定的电气性能,能够承受瞬态电压和电流冲击。

应用

AONS66917广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电池保护和充电管理电路。
  2. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
  3. DC-DC转换器和多相PWM控制器中的同步整流。
  4. 工业自动化设备中的信号隔离和功率驱动。
  5. LED驱动器和小型电机控制电路。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDMQ8207

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AONS66917参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥14.94184卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)115 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5940 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),215W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线