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SI1563DH-T1-GE3 发布时间 时间:2025/7/10 14:53:43 查看 阅读:15

SI1563DH是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TrenchFET Gen III技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于广泛的开关应用。其封装形式为DFN2020-6(SMD),适合表面贴装工艺,能够满足紧凑设计的需求。
  该MOSFET在消费类电子产品、计算机及外设、工业设备等领域的电源管理中表现出色,尤其适用于负载开关、同步整流和DC-DC转换器等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻(Rds(on)):3.7mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:8nC
  总电容:135pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

SI1563DH基于先进的TrenchFET第三代技术,具备出色的导通性能和低功耗特点。其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够在高频开关条件下减少功率损耗。
  2. 小巧的DFN2020-6封装尺寸,有助于节省PCB空间。
  3. 高效的热性能设计,确保长时间稳定运行。
  4. 快速开关速度,支持高频操作需求。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  这些特性使其成为高效能、小型化电路设计的理想选择。

应用

SI1563DH适用于多种电子电路应用,包括但不限于以下领域:
  1. 负载开关:用于USB端口保护、电池管理系统中的开关控制。
  2. 同步整流:在反激式或正激式转换器中用作高效整流元件。
  3. DC-DC转换器:作为功率级开关元件,提升转换效率。
  4. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的启动与停止。
  5. 消费电子设备:如智能手机充电器、平板电脑适配器等便携式设备中的电源管理模块。
  其卓越的电气特性和紧凑封装使它性。

替代型号

SI1564DD, SI1565DD, SI1566DD

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SI1563DH-T1-GE3参数

  • 数据列表SI1563DH
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.13A,880mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大570mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1563DH-T1-GE3TR