时间：2025/7/10 14:53:43
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SI1563DH是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TrenchFET Gen III技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于广泛的开关应用。其封装形式为DFN2020-6（SMD），适合表面贴装工艺，能够满足紧凑设计的需求。
该MOSFET在消费类电子产品、计算机及外设、工业设备等领域的电源管理中表现出色，尤其适用于负载开关、同步整流和DC-DC转换器等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：8nC
总电容：135pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
SI1563DH基于先进的TrenchFET第三代技术，具备出色的导通性能和低功耗特点。其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够在高频开关条件下减少功率损耗。
2. 小巧的DFN2020-6封装尺寸，有助于节省PCB空间。
3. 高效的热性能设计，确保长时间稳定运行。
4. 快速开关速度，支持高频操作需求。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这些特性使其成为高效能、小型化电路设计的理想选择。
SI1563DH适用于多种电子电路应用，包括但不限于以下领域：
1. 负载开关：用于USB端口保护、电池管理系统中的开关控制。
2. 同步整流：在反激式或正激式转换器中用作高效整流元件。
3. DC-DC转换器：作为功率级开关元件，提升转换效率。
4. 电机驱动：控制小型直流电机或步进电机的启动与停止。
5. 消费电子设备：如智能手机充电器、平板电脑适配器等便携式设备中的电源管理模块。
其卓越的电气特性和紧凑封装使它性。
SI1564DD, SI1565DD, SI1566DD
