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AONS66916 发布时间 时间:2025/4/29 8:48:32 查看 阅读:2

AONS66916 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道 MOSFET。该器件采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其小型化的封装设计使其非常适合对空间要求严格的电路设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:0.85mΩ
  栅极电荷:127nC
  总栅极电荷:140nC
  输入电容:4090pF
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

AONS66916 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 0.85mΩ,能够显著降低功率损耗。
  2. 高效率与高可靠性,适合高频开关应用。
  3. 小型化封装(如 TOLL 封装),便于优化 PCB 布局。
  4. 提供出色的热性能,支持高功率密度设计。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。

应用

AONS66916 广泛应用于以下领域:
  1. 服务器和通信设备中的 DC-DC 转换。
  2. 笔记本电脑和台式机的多相 VRM 设计。
  3. 工业级电机驱动和负载开关。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
  5. 高效 AC-DC 和 DC-DC 开关电源解决方案。

替代型号

AONS66914, AONS66915

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AONS66916参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥15.45971卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)95 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5325 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)215W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线