AONS66916 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道 MOSFET。该器件采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其小型化的封装设计使其非常适合对空间要求严格的电路设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:42A
导通电阻:0.85mΩ
栅极电荷:127nC
总栅极电荷:140nC
输入电容:4090pF
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
AONS66916 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 0.85mΩ,能够显著降低功率损耗。
2. 高效率与高可靠性,适合高频开关应用。
3. 小型化封装(如 TOLL 封装),便于优化 PCB 布局。
4. 提供出色的热性能,支持高功率密度设计。
5. 支持宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
AONS66916 广泛应用于以下领域:
1. 服务器和通信设备中的 DC-DC 转换。
2. 笔记本电脑和台式机的多相 VRM 设计。
3. 工业级电机驱动和负载开关。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 高效 AC-DC 和 DC-DC 开关电源解决方案。
AONS66914, AONS66915