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AONS66609 发布时间 时间:2025/6/4 1:29:46 查看 阅读:5

AONS66609 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于各种功率转换应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。
  该 MOSFET 采用了紧凑的封装形式,有助于减少 PCB 占用面积,同时提高整体系统的效率和性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:23nC
  总电容:1250pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

AONS66609 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内运行。
  4. 小型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

AONS66609 广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关和电池管理。
  2. 计算机及外设中的电源管理模块。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
  4. 汽车电子中的各类电源控制和保护电路。
  5. 各种 AC-DC 和 DC-DC 转换器解决方案。

替代型号

AOSS66609, AON66609

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AONS66609参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥11.32643卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Ta),304A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.25 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)126 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6350 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),215W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线