AONS66609 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于各种功率转换应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。
该 MOSFET 采用了紧凑的封装形式,有助于减少 PCB 占用面积,同时提高整体系统的效率和性能。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:17A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:23nC
总电容:1250pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
AONS66609 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内运行。
4. 小型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
AONS66609 广泛应用于以下领域:
1. 移动设备中的负载开关和电池管理。
2. 计算机及外设中的电源管理模块。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
4. 汽车电子中的各类电源控制和保护电路。
5. 各种 AC-DC 和 DC-DC 转换器解决方案。
AOSS66609, AON66609