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AONS66521 发布时间 时间:2025/4/30 19:40:40 查看 阅读:16

AONS66521 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效率、高功率密度的应用场景。其封装形式为 LFPAK88,适合表面贴装,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  该 MOSFET 的主要应用领域包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理模块等,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:79A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷(典型值):36nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:LFPAK88

特性

AONS66521 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,使得其在高频应用中表现出色。
  3. 较高的电流承载能力,可以满足大功率应用需求。
  4. 紧凑的 LFPAK88 封装,支持高功率密度设计。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于绿色设计。

应用

AONS66521 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 各类负载开关和保护电路。
  3. 电池管理系统中的充放电控制。
  4. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
  5. 通信基站的电源管理模块。
  6. 消费类电子产品的高效电源解决方案。

替代型号

AONS66519
  AONS66520
  IRLB8748PBF

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AONS66521参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥13.99147卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2600 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),215W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线