AONS66521 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效率、高功率密度的应用场景。其封装形式为 LFPAK88,适合表面贴装,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
该 MOSFET 的主要应用领域包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理模块等,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:79A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷(典型值):36nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装形式:LFPAK88
AONS66521 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,使得其在高频应用中表现出色。
3. 较高的电流承载能力,可以满足大功率应用需求。
4. 紧凑的 LFPAK88 封装,支持高功率密度设计。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于绿色设计。
AONS66521 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统中的充放电控制。
4. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
5. 通信基站的电源管理模块。
6. 消费类电子产品的高效电源解决方案。
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