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AONS62530 发布时间 时间:2025/5/20 17:09:46 查看 阅读:8

AONS62530 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 提供的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。
  AONS62530 的封装形式为 SO-8FL,其额定电压为 30V,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装尺寸,AONS62530 成为众多功率管理应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:149A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关时间:ton=7ns, toff=13ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

AONS62530 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗并提升效率。
  2. 高电流处理能力,可支持高达 149A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,确保在高频操作时的高效表现。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 紧凑的 SO-8FL 封装,节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

AONS62530 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器和负载点(POL)转换器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
  4. 电池保护和管理系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子中的电池管理和电机驱动电路。

替代型号

AONP62530, AONS62630

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AONS62530参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥4.87357卷带(TR)
  • 系列aMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.2A(Ta),19A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)58 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)675 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),48W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线