AONS62530 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 提供的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。
AONS62530 的封装形式为 SO-8FL,其额定电压为 30V,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装尺寸,AONS62530 成为众多功率管理应用的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:149A
导通电阻(典型值):1.3mΩ
栅极电荷:16nC
开关时间:ton=7ns, toff=13ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
AONS62530 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗并提升效率。
2. 高电流处理能力,可支持高达 149A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,确保在高频操作时的高效表现。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 紧凑的 SO-8FL 封装,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
AONS62530 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和负载点(POL)转换器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
4. 电池保护和管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的电池管理和电机驱动电路。
AONP62530, AONS62630