AONS36306 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。它适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关的应用场景。该器件具有极低的导通电阻和优秀的热性能,非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用领域。
其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够提供出色的电气性能和散热能力。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:17A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:34nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AONS36306 提供了极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其超快的开关速度可以有效降低开关损耗,并适合高频应用环境。
此外,该器件采用了坚固的设计,在极端条件下也能保持稳定的性能。
具备较高的雪崩耐量和鲁棒性,能够应对异常工况下的瞬态过压情况。
同时,其小型化封装使其非常适用于对空间要求严格的电路设计。
AONS36306 广泛应用于各种电源管理相关的场景,例如负载开关、电机驱动、电源适配器、电池管理系统以及 DC-DC 转换器中。
在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等设备里也有广泛应用。
工业领域方面,它可以被用来实现高效节能的工业电源解决方案。
另外,在汽车电子中,这款 MOSFET 可以作为启动电路或辅助控制电路的一部分。
AONP36306