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AONS36306 发布时间 时间:2025/4/30 9:33:35 查看 阅读:4

AONS36306 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。它适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关的应用场景。该器件具有极低的导通电阻和优秀的热性能,非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用领域。
  其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够提供出色的电气性能和散热能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:34nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AONS36306 提供了极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  其超快的开关速度可以有效降低开关损耗,并适合高频应用环境。
  此外,该器件采用了坚固的设计,在极端条件下也能保持稳定的性能。
  具备较高的雪崩耐量和鲁棒性,能够应对异常工况下的瞬态过压情况。
  同时,其小型化封装使其非常适用于对空间要求严格的电路设计。

应用

AONS36306 广泛应用于各种电源管理相关的场景,例如负载开关、电机驱动、电源适配器、电池管理系统以及 DC-DC 转换器中。
  在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等设备里也有广泛应用。
  工业领域方面,它可以被用来实现高效节能的工业电源解决方案。
  另外,在汽车电子中,这款 MOSFET 可以作为启动电路或辅助控制电路的一部分。

替代型号

AONP36306

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AONS36306参数

  • 现有数量2,984现货
  • 价格1 : ¥4.45000剪切带(CT)3,000 : ¥1.56555卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Ta),63A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1000 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线