时间：2025/7/4 7:24:56
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SPP80P06PG是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，具有较低的导通电阻以及较高的电流处理能力，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用场合。
这种MOSFET的特点在于其优化的电气性能和热性能，能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现，同时具备良好的散热能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：36nC（典型值）
输入电容：2250pF（典型值）
功耗：114W
结温范围：-55℃至+175℃
SPP80P06PG采用了先进的半导体制造工艺，从而实现了非常低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提升效率。此外，该器件还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，这些特点使得它在高频开关应用中表现出色。
由于其高电流处理能力和稳健的热设计，SPP80P06PG可以满足工业和汽车领域对可靠性和稳定性的严格要求。同时，该器件还具备ESD保护功能，进一步增强了其在恶劣环境下的适应性。
SPP80P06PG适合多种电源管理相关的应用场景，包括但不限于以下几种：
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 汽车电子系统中的电机驱动
- 工业控制设备中的功率开关
- 各类电池管理系统中的充放电控制
凭借其卓越的性能和可靠性，该器件成为许多高性能电源解决方案的理想选择。
IRF840,
STP80NF06L,
FDP087N06A
