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AONS32306 发布时间 时间:2025/5/22 12:13:05 查看 阅读:5

AONS32306是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产。该器件采用超小型DFN3x3-8封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种功率转换应用,如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。AONS32306的设计旨在提高效率并减少功率损耗。
  这款MOSFET以其卓越的电气性能和紧凑的尺寸而闻名,是便携式电子设备和空间受限应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:39nC
  输入电容:1090pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:DFN3x3-8

特性

AONS32306的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗。
  2. 快速开关特性,适合高频应用。
  3. 小型化设计,节省PCB空间。
  4. 高雪崩能力和强健的ESD保护。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 可靠性高,适用于苛刻的工作环境。

应用

AONS32306广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流器。
  3. 电池管理系统中的保护开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各类消费电子产品中的电源管理单元。
  6. 工业控制和通信设备中的功率转换模块。

替代型号

AON32306L, AONP32306

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AONS32306参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.89513卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4080 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线