AONS32304是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能、高可靠性的电源管理应用而设计,广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等场合。AONS32304采用了先进的屏蔽栅(Shielded Gate)技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为DFN5x6,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):160A
导通电阻(Rds(on)):0.95mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):120W
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-55°C至150°C
封装类型:DFN5x6
AONS32304具有多项优异的电气和热性能,使其在高频和高效率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,采用屏蔽栅技术优化了电场分布,降低了开关损耗,提高了器件的开关速度和稳定性。此外,该器件具有良好的热阻性能,DFN5x6封装设计提供了优异的散热能力,有助于在高电流工作条件下保持较低的工作温度,延长器件寿命。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V之间的栅极驱动,适用于多种驱动电路设计。AONS32304还具备较高的短路耐受能力,能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。此外,其符合RoHS标准,无卤素,符合现代环保要求,适用于绿色电子产品的设计。
AONS32304适用于多种高效率电源管理系统和功率转换设备。其典型应用包括同步整流器、多相DC-DC降压转换器、服务器和通信设备的电源模块、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及负载开关等。由于其高电流承载能力和优异的热性能,该器件特别适合用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景,如工业自动化设备、电动汽车电子系统和高性能计算设备的电源管理模块。
SiZ104DT, IPB013N04NG, FDBL0150N04A, AONR32304