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AONS32106 发布时间 时间:2025/6/17 18:00:06 查看 阅读:4

AONS32106是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种高效能功率转换应用。AONS32106的工作电压为30V,适合在低电压、大电流环境中使用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷:27nC
  输入电容:1540pF
  工作结温范围:-55°C至150°C

特性

AONS32106具备非常低的导通电阻,能够显著减少功率损耗,提高系统效率。其高瞬态热阻和优化的封装设计使其能够在高负载条件下保持稳定性能。
  此外,AONS32106还具有快速开关能力,能够有效降低开关损耗。器件内置的ESD保护功能增强了其抗静电能力,确保在苛刻环境中的可靠性。
  AONS32106采用TO-220封装,这种封装形式提供了良好的散热性能,并且易于安装和维护。

应用

AONS32106适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  - DC-DC转换器中的功率开关
  - 各类负载开关设计
  - 消费类电子设备中的电池保护电路
  - 电机驱动和逆变器控制
  - 通信电源和工业电源模块
  由于其出色的性能和可靠性,AONS32106成为许多低电压、高效率功率转换应用的理想选择。

替代型号

AONP32106G, AOTF32106

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AONS32106参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.01364卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta),20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.3 毫欧 @ 20A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3300 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线