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AONS32100 发布时间 时间:2025/6/29 6:09:37 查看 阅读:4

AONS32100 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 LFPAK56 (PowerSO8),非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
  这款 MOSFET 的设计使其能够在高频开关条件下保持较低的损耗,并且具备出色的热性能。通过优化的沟道结构和封装技术,AONS32100 在同类产品中表现出较高的性价比。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:78A
  导通电阻(典型值):1.0mΩ
  栅极电荷(典型值):19nC
  输入电容(典型值):2460pF
  工作结温范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:LFPAK56 (PowerSO8)

特性

AONS32100 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用场景,例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制器。
  3. 高额定电流能力,支持大功率应用需求。
  4. 具备良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
  5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

AONS32100 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  5. 通信电源、汽车电子以及消费类电子产品中的高效功率转换模块。
  由于其优异的性能和可靠性,AONS32100 成为许多工程师在设计高性能功率电路时的首选元件。

替代型号

AOTF32100, AONS22814

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AONS32100参数

  • 现有数量14,438现货
  • 价格1 : ¥16.77000剪切带(CT)3,000 : ¥7.66291卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)73A(Ta),400A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.73 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)240 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15200 pF @ 12.5 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线