时间：2025/6/6 17:28:56
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AONR62818是一款由Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。
该芯片广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域中的负载开关、DC-DC转换器、电池管理等电路中。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
持续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ (在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：34nC
总功率耗散(Pd)：97W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
AONR62818的主要特点是其超低的导通电阻，仅为3.5mΩ，能够有效减少导通损耗，提升系统效率。
此外，它还具备快速开关能力，可以适应高频应用需求。器件采用了TO-220封装形式，便于散热和安装。
其高电流承载能力和宽泛的工作温度范围，使得该产品能够在多种复杂环境中保持稳定性能。
AONR62818适用于各种电源管理相关的应用，包括但不限于：
- DC-DC转换器中的功率开关
- 电池保护及管理系统
- 电机驱动电路
- 负载开关和保护电路
- 工业自动化设备中的开关控制
- 消费类电子产品中的高效电源设计
AOT228L,
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