时间：2025/4/25 16:04:02
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AONR21311C 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用超薄封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，如负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及便携式设备的功率控制等。其出色的性能和紧凑的设计使其成为高效能电路设计的理想选择。
该器件的最大额定电压为 30V，并能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通状态。
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±8V
连续漏极电流 Id：4.7A（在 Tc=25℃条件下）
导通电阻 Rds(on)：9mΩ（在 Vgs=4.5V 条件下）
栅极电荷 Qg：6nC
总电容 Ciss：1150pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
AONR21311C 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低导通损耗并提升效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，适合电池供电系统。
4. 高电流承载能力，满足大功率需求。
5. 小型化封装设计（DFN1010-2），节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
这些特性使得 AONR21311C 成为各种消费类电子、工业控制和通信设备中的理想功率开关元件。
AONR21311C 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路中的功率开关。
3. USB 充电器和适配器中的同步整流电路。
4. 小型电机驱动和 LED 驱动电路。
5. 各种需要高效功率转换和低功耗的场合。
AONR21311C 的高性能和小型化特点使其非常适合空间受限但对效率要求较高的应用场景。
AONR21310C, AONR21312C
