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AON7232 发布时间 时间:2025/5/13 14:13:46 查看 阅读:5

AON7232 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和低损耗的应用场景。
  该器件主要设计用于功率转换电路中,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用。其小型化的封装形式使得它非常适合于空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:8.9nC
  总电容:1640pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:LFPAK56D

特性

AON7232 的主要特点是其具备非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.5mΩ,这有助于显著降低导通损耗,并提升整体系统的效率。
  此外,该器件还具有较低的栅极电荷 (Qg),可实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
  其紧凑的 LFPAK56D 封装形式不仅节省了印刷电路板的空间,而且优化了热性能和电气性能。
  AON7232 还具有出色的雪崩能力和抗静电能力,增强了在实际应用中的可靠性与耐用性。

应用

AON7232 广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 多相降压转换器
  3. 负载开关和 OR-ing 二极管替代方案
  4. 电机控制和驱动
  5. 笔记本电脑和服务器电源
  6. 便携式电子设备中的电池管理
  由于其高性能指标,AON7232 特别适合对效率要求较高的应用场景。

替代型号

AON7231G, AON7233G

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AON7232参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥3.56434卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)37A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13.5 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1770 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)39W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN